1. CPH3115-TL-E
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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

CPH3115-TL-E 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT BIP PNP 1.5A 30V

内部编号

277-CPH3115-TL-E

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:18000
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:18000
1+¥1.0017
25+¥0.9246
100+¥0.8475
500+¥0.8475
1000+¥0.7705
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:5306
1+¥3.2137
10+¥2.2975
100+¥1.053
1000+¥0.8137
3000+¥0.6906
9000+¥0.6291
24000+¥0.588
45000+¥0.5265
99000+¥0.4923
最小起订量:1
美国加州
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订购说明

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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

CPH3115-TL-E产品详细规格

规格书 CPH3115-TL-E datasheet 规格书
CPH3115,3215
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 375mV @ 15mA, 750mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 200 @ 100mA, 2V
功率 - 最大 900mW
频率转换 450MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 SC-96
供应商器件封装 3-CPH
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 1.5
最低工作温度 -55
安装 Surface Mount
Maximum Transition Frequency 450(Typ)
包装宽度 1.6
PCB 3
最大功率耗散 900
类型 PNP
欧盟RoHS指令 Compliant
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
最大集电极发射极电压 30
供应商封装形式 CPH
最高工作温度 150
包装长度 2.9
引脚数 3
最小直流电流增益 200@100mA@2V
包装高度 0.9
最大基地发射极电压 5
封装 Tape and Reel
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 1.5A
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 450MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 375mV @ 15mA, 750mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 3-CPH
功率 - 最大 900mW
封装/外壳 SC-96
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 200 @ 100mA, 2V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
发射极 - 基极电压VEBO - 5 V
集电极 - 发射极饱和电压 - 0.25 V
晶体管极性 PNP
最大功率耗散 0.9 W
系列 CPH3115/CPH3215
直流电流增益hFE最大值 560
增益带宽产品fT 450 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO - 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO - 30 V
最低工作温度 - 55 C
集电极最大直流电流 - 3 A
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 - 1.5 A
频率 - 跃迁 450MHz
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 375mV @ 15mA, 750mA
晶体管类型 PNP
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 200 @ 100mA, 2V
封装/外壳 SC-96
功率 - 最大值 900mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 1.5A
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
品牌 ON Semiconductor
Pd - Power Dissipation 0.9 W

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